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PI隔膜的成膜方法

作者:PI隔膜 發(fā)布時間:2024-01-04 14:01:43點擊:

傳統(tǒng)PI材料質(zhì)量難以溶于大多數(shù)學生有機溶劑,且具有一個非常高的熔融溫度Tm和玻璃化轉(zhuǎn)變工作溫度Tg。這種“難溶難熔”的特性可以大大提高限制了PI材料進行加工成膜性。據(jù)文獻研究報道,目前PI隔膜的制備方式方法分析主要內(nèi)容包括模板法、相轉(zhuǎn)化法和靜電紡絲法。

電子級PI薄膜材料.jpg

模板法

在模板法中,首先制備含有致孔劑的 PI復合膜,然后通過化學腐蝕、溶劑溶解或煅燒除去致孔劑,得到 PI 多孔膜。常用的致孔劑是金屬氧化物、氫氧化物或非金屬氧化物。

浸沒沉淀法

浸沒沉淀法是將聚酰胺酸(PAA)的前驅(qū)體溶液或 PI 的可溶性溶液刮涂在載體(如玻璃等)上,浸沒在非溶劑中,在聚合物的溶劑/非溶劑混合物中進行相分離。當溶劑被去除時,非溶劑所占據(jù)的空間形成孔隙。通過改變鑄液配方和工藝條件,可以簡單有效地控制多孔膜的孔結(jié)構(gòu)。

靜電紡絲法

靜電紡絲的基本原理是在聚合物溶液中施加高壓靜電力,當液體表面的電荷斥力大于其表面張力時,在針尖形成泰勒錐。高速聚合物溶液被拉伸、變形和分裂。隨著溶液的揮發(fā),聚合物溶液射流凝固并最終沉積在接收器上形成納米纖維膜。

靜電紡絲技術(shù)具有設備簡單、適用物質(zhì)多樣、可宏觀制備等諸多優(yōu)點,已成為制備PI膜的有效方法之一。靜電紡絲技術(shù)制備的納米纖維膜具有三維網(wǎng)絡結(jié)構(gòu)和高孔隙率,為鋰離子在其中的快速遷移提供了豐富的通道。與傳統(tǒng)無紡布相比,納米纖維膜的纖維直徑更小(從幾納米到幾百納米不等),孔徑更小,有利于緩解電池的自放電現(xiàn)象。

此外,研究者們還探索了其它成膜方法,如接枝或共聚能力不穩(wěn)定鏈段法、濕法抄紙技術(shù)和輻照可以刻蝕法等。


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